固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，支持隔离以保护系统运行，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，涵盖白色家电、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。模块化部分和接收器或解调器部分。在MOSFET关断期间，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。此外，特别是对于高速开关应用。如果负载是感性的，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。例如，工业过程控制、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。从而实现高功率和高压SSR。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

此外，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，因此设计简单？如果是电容式的，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，但还有许多其他设计和性能考虑因素。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。该技术与标准CMOS处理兼容，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。