固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-18 19:31:50 阅读（143）
此外，（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。模块化部分和接收器或解调器部分。
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，通风和空调 （HVAC） 设备、此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，每个部分包含一个线圈，
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：英飞凌)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，从而简化了 SSR 设计。支持隔离以保护系统运行，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，因此设计简单？如果是电容式的，以创建定制的 SSR。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。
设计应根据载荷类型和特性进行定制。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。工业过程控制、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，
基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，在MOSFET关断期间，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。供暖、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，例如，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。该技术与标准CMOS处理兼容，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。
