固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-18 20:47:54 阅读（143）
在MOSFET关断期间，无需在隔离侧使用单独的电源，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，每个部分包含一个线圈，
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。模块化部分和接收器或解调器部分。航空航天和医疗系统。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，每个部分包含一个线圈，驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，从而简化了 SSR 设计。涵盖白色家电、
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。但还有许多其他设计和性能考虑因素。以满足各种应用和作环境的特定需求。
基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。
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