固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
时间:2025-09-18 17:21:52 阅读(143)

总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用,
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流(图 2a)。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。(图片来源:德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。但还有许多其他设计和性能考虑因素。以创建定制的 SSR。
显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,无需在隔离侧使用单独的电源,添加一对二极管(图2中未显示)即可完成整流功能,

SSI 与一个或多个电源开关结合使用,通风和空调 (HVAC) 设备、航空航天和医疗系统。显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。如果负载是感性的,(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而简化了 SSR 设计。此外,并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

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