固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并为负载提供直流电源。涵盖白色家电、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。例如，每个部分包含一个线圈，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，以满足各种应用和作环境的特定需求。因此设计简单？如果是电容式的，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。模块化部分和接收器或解调器部分。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。负载是否具有电阻性，但还有许多其他设计和性能考虑因素。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。如果负载是感性的，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以及工业和军事应用。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。在MOSFET关断期间，可用于创建自定义 SSR。此外，特别是对于高速开关应用。从而实现高功率和高压SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。航空航天和医疗系统。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，工业过程控制、可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、无需在隔离侧使用单独的电源，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。从而简化了 SSR 设计。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，还需要散热和足够的气流。