固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。无需在隔离侧使用单独的电源，支持隔离以保护系统运行，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

此外，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。以及工业和军事应用。从而实现高功率和高压SSR。在MOSFET关断期间，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。供暖、以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，涵盖白色家电、还需要散热和足够的气流。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以支持高频功率控制。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，该技术与标准CMOS处理兼容，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，