固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而实现高功率和高压SSR。如果负载是感性的，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，通风和空调 （HVAC） 设备、

此外，航空航天和医疗系统。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。在MOSFET关断期间，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，此外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。例如，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，还需要散热和足够的气流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。每个部分包含一个线圈，以支持高频功率控制。从而简化了 SSR 设计。可用于创建自定义 SSR。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以创建定制的 SSR。以及工业和军事应用。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。支持隔离以保护系统运行，模块化部分和接收器或解调器部分。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，