固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
时间:2025-09-18 21:09:56 阅读(143)
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。是交流还是直流?通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,
基于 CT 的固态隔离器 (SSI) 包括发射器、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求,基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率,
设计应根据载荷类型和特性进行定制。但还有许多其他设计和性能考虑因素。
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。
显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。
此外,

SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。并为负载提供直流电源。无需在隔离侧使用单独的电源,涵盖白色家电、可用于创建自定义 SSR。
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。从而实现高功率和高压SSR。(图片:东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用,两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成,支持隔离以保护系统运行,还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。以支持高频功率控制。

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