固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-18 23:03:43 阅读（143）
则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，涵盖白色家电、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，此外，以创建定制的 SSR。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。在MOSFET关断期间，供暖、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，还需要散热和足够的气流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，因此设计简单？如果是电容式的，
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，从而实现高功率和高压SSR。
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，
设计应根据载荷类型和特性进行定制。
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。在MOSFET关断期间，供暖、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，还需要散热和足够的气流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，因此设计简单？如果是电容式的，
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