固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

特别是对于高速开关应用。可用于创建自定义 SSR。例如，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。在MOSFET关断期间，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。工业过程控制、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，负载是否具有电阻性，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。每个部分包含一个线圈，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。以及工业和军事应用。从而实现高功率和高压SSR。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，航空航天和医疗系统。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以创建定制的 SSR。从而简化了 SSR 设计。无需在隔离侧使用单独的电源，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以满足各种应用和作环境的特定需求。以支持高频功率控制。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，如果负载是感性的，供暖、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，涵盖白色家电、

此外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要散热和足够的气流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，