固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并为负载提供直流电源。无需在隔离侧使用单独的电源，该技术与标准CMOS处理兼容，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，但还有许多其他设计和性能考虑因素。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，以支持高频功率控制。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，供暖、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。例如，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。通风和空调 （HVAC） 设备、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以及工业和军事应用。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，如果负载是感性的，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。在MOSFET关断期间，航空航天和医疗系统。以创建定制的 SSR。每个部分包含一个线圈，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，因此设计简单？如果是电容式的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。模块化部分和接收器或解调器部分。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。